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2SC3326-B,LF

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS NPN 20V 0.3A TO236

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326

SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

2SC3326

SiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)ForMutingandSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3326

NPNEPITAXIALTYPE(FORMUTINGANDSWITCHINGAPPLICATIONS)

ForMutingandSwitchingApplications ?Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) ?HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=?2V,IC=?4mA) ?Lowonresistance:RON=1?(typ.)(IB=5mA) ?HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 ?Smallpackage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3326

SiliconNPNEpitaxial

Features ●Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min). ●HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=-2V,IC=-4mA). ●Lowonresistance:RON=1Ω(typ.)(IB=5mA). ●HighDCcurrentgain:hFE=200~1200. ●Smallpackage.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SC3326

ForMutingandSwitchingApplications

ForMutingandSwitchingApplications ?Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) ?HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=?2V,IC=?4mA) ?Lowonresistance:RON=1?(typ.)(IB=5mA) ?HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 ?Smallpackage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3326

ForMutingandSwitchingApplications

ForMutingandSwitchingApplications ?Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) ?HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=?2V,IC=?4mA) ?Lowonresistance:RON=1?(typ.)(IB=5mA) ?HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 ?Smallpackage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3326A

ForMutingandSwitchingApplications

ForMutingandSwitchingApplications ?Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) ?HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=?2V,IC=?4mA) ?Lowonresistance:RON=1?(typ.)(IB=5mA) ?HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 ?Smallpackage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SC3326-B

ForMutingandSwitchingApplications

ForMutingandSwitchingApplications ?Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) ?HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=?2V,IC=?4mA) ?Lowonresistance:RON=1?(typ.)(IB=5mA) ?HighDCcurrentgain:hFE=200~1200 ?Smallpackage

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SC3326-B,LF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    100mV @ 3mA，30mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    350 @ 4mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    30MHz

  • 工作溫度：

    125°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-236

  • 描述：

    TRANS NPN 20V 0.3A TO236

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2SC3326-B,LF供應商 更新時間2024-10-28 14:04:00

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