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2SA1977-T1B 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 RENESAS/瑞薩

2SA1977-T1B

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  • 廠家型號(hào)：

    2SA1977-T1B

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    RENESAS/瑞薩

  • 庫存數(shù)量：

    7906200

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT23

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-28 17:08:00

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原廠料號(hào)：2SA1977-T1B品牌：RENESAS/瑞薩

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  • 芯片型號(hào)：

    2SA1977-T1B-A

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱：

    瑞薩科技有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    14 頁

  • 文件大小：

    191.5 kb

  • 資料說明：

    PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2SA1977-T1B-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    8.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    1.5dB @ 1GHz

  • 增益：

    12dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 20mA，8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    50mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    林翔

  • 手機(jī)：

    18138867084

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83229017/4006767582

  • 傳真：

    0755-83229017

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康二棟521室

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