首頁>2PS12012E33G27261>芯片詳情

2PS12012E33G27261_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 1x 569A AC at 400V AC Forced Air博通航睿技術(shù)

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    2PS12012E33G27261

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    7000

  • 產(chǎn)品封裝:

    IGBT

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    23+

  • 庫(kù)存類型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-25 8:50:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):2PS12012E33G27261品牌:INFINEON

  • 芯片型號(hào):

    2PS12012E33G27261

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明:

    IGBT 模塊 1x 569A AC at 400V AC Forced Air

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    2PS12012E33G27261

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 1x 569A AC at 400V AC Forced Air

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    天津市博通航睿技術(shù)有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    馬總

  • 手機(jī):

    18322198211

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    18322198211

  • 地址:

    天津市南開區(qū)科研西路12號(hào)356室