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2N6668G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N6668G
廠商型號

2N6668G

功能描述

Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60??0 V, 65 W

文件大小

80.83 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-7 19:06:00

2N6668G規(guī)格書詳情

Darlington Silicon Power Transistors

Designed for general?purpose amplifier and low speed switching applications.

? High DC Current Gain ?

hFE = 3500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc

? Collector?Emitter Sustaining Voltage ? @ 200 mAdc

VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) ? 2N6667

= 80 Vdc (Min) ? 2N6668

? Low Collector?Emitter Saturation Voltage ?

VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max)@ IC = 5.0 Adc

? Monolithic Construction with Built?In Base?Emitter Shunt Resistors

? TO?220AB Compact Package

? Complementary to 2N6387, 2N6388

? Pb?Free Packages are Available*

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2N6668G

  • 功能描述:

    達(dá)林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶體管極性:

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流:

    0.5 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SOIC-18

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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