2N6668分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
2N6668 |
參數(shù)屬性 | 2N6668 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 80V 10A TO220 |
功能描述 | Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60??0 V, 65 W |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
80.83 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-31 15:50:00 |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
2N6668三極管、2N6668晶體管、2N6668晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-P+Darl
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
80V
- 最大電流允許值:
8A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號:
BD648,BD900,BDW74B,BDX54B,
- 最大耗散功率:
65W
- 放大倍數(shù):
β>1000
- 圖片代號:
B-84
- vtest:
80
- htest:
999900
- atest:
8
- wtest:
65
2N6668規(guī)格書詳情
Darlington Silicon Power Transistors
Designed for general?purpose amplifier and low speed switching applications.
? High DC Current Gain ?
hFE = 3500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc
? Collector?Emitter Sustaining Voltage ? @ 200 mAdc
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) ? 2N6667
= 80 Vdc (Min) ? 2N6668
? Low Collector?Emitter Saturation Voltage ?
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max)@ IC = 5.0 Adc
? Monolithic Construction with Built?In Base?Emitter Shunt Resistors
? TO?220AB Compact Package
? Complementary to 2N6387, 2N6388
? Pb?Free Packages are Available*
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
2N6668
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
剪切帶(CT)帶盒(TB)
- 晶體管類型:
PNP - 達林頓
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
3V @ 100mA,10A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
1mA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 5A,3V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220
- 描述:
TRANS PNP DARL 80V 10A TO220
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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TO-220 |
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