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2N60

2 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION TheUTC2N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsin

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2N60

N2 Amps竊?00Volts N-Channel MOSFET

Description TheET2N60N-CeannelenhancementmodesilicongatepowerMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,solenoid,motordrivers,relaydrivers. Features ●RDS(ON)=5.00?@VGS=10V ●Lowgatecharge

ESTEKEstek Electronics Co. Ltd

伊泰克電子北京伊泰克電子有限公司

2N60

2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

TheUTC2N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowerupplies,PWM

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2N60

600V N-Channel Power MOSFET

Features ●RDS(ON)

DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd.

迪一電子山東迪一電子科技有限公司

2N60

N-CHANNEL POWER MOSFET

Features ●RDS(ON)

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

2N60

N-Channel MOSFET

Features ●RDS(ON)=3.8Ω@VGS=10V. ●Lowgatecharge(typical9.0nC). ●LowCrss(typical5.0pF). ●Fastswitchingcapability. ●Avalancheenergyspecified ●Improveddv/dtcapability.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2N60

2A mps,600 Volts N-CHANNEL MOSFET

FEATURE ●2A,600V,RDS(ON)=4Ω@VGS=10V/1A ●Lowgatecharge ●LowCiss ●Fastswitching ●100avalanchetested ●Improveddv/dtcapability

CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd

重慶平偉實(shí)業(yè)重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司

2N60

TO-251 Plastic-Encapsulate MOSFET

N-ChannelMOSFET Features ●RobustHighVoltageTermination ●AvalancheEnergySpecified ●DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ●IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature

HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd

蘇海德半導(dǎo)體蘇海德半導(dǎo)體有限公司

2N60

N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION 2N602N65isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowersu

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣諾電子淄博圣諾電子工程有限公司

2N60

N-Channel Power MOSFET

DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies,DCtoDCconverters,PWMmotorcontrols,bridgecircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. TheNell2N60isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof2A,fastswitchi

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2N60

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Ge-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    25V

  • 最大電流允許值：

    0.2A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    AC122,AC125,AC126,AC151,2N1191,2N1192,2N1193,2N1194,3AX53A,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

    β=65

  • 圖片代號(hào)：

    D-9

  • vtest：

    25

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.2

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2N60

  • 制造商：

    UTC-IC

  • 制造商全稱：

    UTC-IC

  • 功能描述：

    MOS

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
XY/星宇佳
21+
TO-252
72500
自主品牌 量大可定
 詢價(jià)
BYD
24+
TO-220
20
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
GOODSEMI
21+
10560
十年專營(yíng),原裝現(xiàn)貨,假一賠十
 詢價(jià)
FSC仙童
23+
TO-252/251
53000
一級(jí)分銷商
 詢價(jià)
FCS
2024+
TO-252
32560
原裝優(yōu)勢(shì)絕對(duì)有貨
 詢價(jià)
FAI
13+
T0252
2500
原裝現(xiàn)貨價(jià)格有優(yōu)勢(shì)量大可以發(fā)貨
 詢價(jià)
FCS原裝正品
23+
TO251
12328
詢價(jià)
24+
原廠封裝
5000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
FAIRCHILD
1215+
TO-220F
150000
全新原裝,絕對(duì)正品,公司大量現(xiàn)貨供應(yīng).
 詢價(jià)
AIRCH
23+
TO220
9960
價(jià)格優(yōu)勢(shì)、原裝現(xiàn)貨、客戶至上。歡迎廣大客戶來電查詢
 詢價(jià)
更多2N60供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-4 17:30:00

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