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2N5401U	文件：254.16 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2N5401	文件：280.36 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTOR PNPEPITAXIALPLANARSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTOR HighVoltagePNPTransistorForGeneralPurposeAndTelephonyApplications.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
2N5401	文件：437.58 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAmplifierTransistor625mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
2N5401	文件：130.509 Kbytes Page：2 Pages	PNPhigh-voltagetransistor DESCRIPTION ?PNPhigh-voltagetransistor ?Lowcurrent(max.300mA) ?Highvoltage(max.160V) ?Complementsto2N5551. APPLICATIONS ?DesignedforSwitchingandamplification inhighvoltageapplications,suchastelephony applications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2N5401	文件：197.7 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors forgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications. AscomplementarytypestheNPNtransistors2N5550and2N5551arerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
2N5401	文件：236.88 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES forgeneralpurpose,highvolt AscomplementarytypestheNPNtransistors2N5551are recommended. Lowcurrent(max.600mA),Highvoltage(max.160V)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
2N5401	文件：256.17 Kbytes Page：5 Pages	Generalpurposeamplifier Description ?Generalpurposeamplifier ?Highvoltageapplication Features ?Highcollectorbreakdownvoltage: VCBO=-160V,VCEO=-160V ?Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(sat)=-0.5V(MAX.) ?Complementarypairwith2N5551	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
2N5401	文件：182.8 Kbytes Page：1 Pages	SERIES2NTRANSISTORS SERIES2NTRANSISTORS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2N5401	文件：171.51 Kbytes Page：2 Pages	AMPLIFIERTRANSISTOR PNPSilicon	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
2N5401	文件：574.25 Kbytes Page：5 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●SwitchingandAmplificationinHighVoltage ●ApplicationssuchasTelephony ●LowCurrent ●HighVoltage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司	JIANGSU
2N5401	文件：235.08 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2N5401	文件：144.03 Kbytes Page：5 Pages	AMPLIFIERTRANSISTORPNPSILICON PNPSilicon	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司	boca
2N5401	文件：30.7 Kbytes Page：1 Pages	TO-92PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
2N5401	文件：83.66 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistorsPNPSilicon AmplifierTransistors PNPSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
2N5401	文件：51.31 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description The2N5401isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features ?ComplementstoNPNType2N5551. ?HighCollector-EmitterBreakdownVoltage.VCEO=150V(@IC=1mA)	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2N5401	文件：166.71 Kbytes Page：1 Pages	PNPTransistorPlastic-EncapsulateTransistors PNPTransistorPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES PowerDissipation PCM:0.625W(Tamb=25) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N5401	文件：106.86 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors ?Powerdissipation625mW ?PlasticcaseTO-92 ?Weightapprox.0.18g ?PlasticmaterialhasULclassification94V-0 ?Standardpackagingtapedinammopack	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
2N5401	文件：67.35 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TO-92Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURE Powerdissipation PCM:0.625W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2N5401	文件：343.07 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2N5401	文件：213.52 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeamplifierapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM

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更多2N5401U供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-28 15:45:00

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