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2N5401 | Amplifier Transistor(PNP Silicon) PNPSilicon | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | |
2N5401 | PNP high-voltage transistor DESCRIPTION PNPhigh-voltagetransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage.NPNcomplement:2N5551. FEATURES ?Lowcurrent(max.300mA) ?Highvoltage(max.150V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification ?Telephonyapplications. | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | |
2N5401 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR AMPLIFIERTRANSISTOR ●Collector-EmitterVoltage:VCEO=150V ●CollectorDissipation:Pc(max)=625mW | SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體 | Samsung | |
2N5401 | PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications??? PNPSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications | SEMTECH Semtech Corporation | SEMTECH | |
2N5401 | PNP General Purpose Amplifier PNPGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifierandswitchforapplicationsrequiringhighvoltages.SourcedfromProcess74. | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | |
2N5401 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE) GENERALPURPOSEAPPLICATION. HIGHVOLTAGEAPPLICATION. FEATURES ?HighCollectorBreakdwonVoltage :VCBO=-160V,VCEO=-150V ?LowLeakageCurrent. :ICBO=-50nA(Max.)@VCB=-120V ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.5V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA ?LowNoise:NF=8dB(Max.) | KECKEC CORPORATION KEC株式會社 | KEC | |
2N5401 | COMPLEMENTARY SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS 2N5400,2N5401-->PNP 2N5550,2N5551-->NPN | MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics | MICRO-ELECTRONICS | |
2N5401 | PNP Silicon Transistor (General purpose amplifier High voltage application) Description ?Generalpurposeamplifier ?Highvoltageapplication Features ?Highcollectorbreakdownvoltage:VCBO=-160V,VCEO=-150V ?Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(MAX.) ?Complementarypairwith2N5551 | AUK AUK corp | AUK | |
2N5401 | Amplifier Transistors AmplifierTransistors PNPSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable* | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
2N5401 | Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N4400and2N4401aresiliconNPNtransistorsdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications.PNPcomplementarytypesare2N4402and2N4403. MARKING:FULLPARTNUMBER | CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體 | Central |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
通用型 （Uni）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
160V
- 最大電流允許值：
0.6A
- 最大工作頻率：
>100MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BF491,BF492,BF493,2SA1221,2SA1222,2SA1319,3CA3F,
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
A-31
- vtest：
160
- htest：
100000100
- atest：
0.6
- wtest：
0.625
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N5401
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 10mA，5V
- 頻率 - 躍遷：
300MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 長體
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-92（TO-226）
- 描述：
TRANS PNP 150V 0.6A TO92
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
2015+ |
200 |
公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||||
2015+ |
200 |
公司現(xiàn)貨庫存 |
詢價(jià) | ||||
CJ |
15+ |
TO-92 |
100000 |
低價(jià)熱賣!現(xiàn)貨供應(yīng),專業(yè)為客戶提供一站式服務(wù)。 |
詢價(jià) | ||
FSC/長電 |
14+無鉛 |
TO-92 |
25700 |
優(yōu)勢產(chǎn)品,博盛微熱賣!!! |
詢價(jià) | ||
CJ |
11+ |
TO92 |
8991 |
原裝現(xiàn)貨只有原裝 |
詢價(jià) | ||
ST(先科) |
23+ |
TO-92 |
10000 |
只做原裝現(xiàn)貨 假一賠萬 |
詢價(jià) | ||
SSCP |
22+ |
SSCP |
9850 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價(jià) | ||
仙童 |
23+ |
TO-92 |
276500 |
一級分銷商 |
詢價(jià) | ||
CJ/長電 |
2023+ |
SOT23 |
15000 |
AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站 |
詢價(jià) | ||
CJ/長電 |
2021+ |
TO-92 |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) |
