2N3859A 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

原廠(chǎng)料號(hào)：2N3859A品牌：onsemi

獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證

2N3859A是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。制造商onsemi生產(chǎn)封裝TO-226-3 TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!-/TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）的2N3859A晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線(xiàn)電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類(lèi)型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

• 芯片型號(hào)：

  2N3859A

• 規(guī)格書(shū)：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

  GESS詳情

• 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

  GE Solid State

• 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

  5 頁(yè)

• 文件大?。?/span>

  154.38 kb

• 資料說(shuō)明：

  SILICON TRANSISTORS