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BF820

Marking：1V；Package：SOT-23；Small Signal Transistors (NPN)

FEATURES ◆NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors especiallysuitedforapplicationinclass-B videooutputstagesofTVreceiversand monitors. ◆Ascomplementarytypes,thePNPtransistors BF821andBF823arerecommended.

GE

GE Industrial Company

BF820

Marking：1V；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Lowcurrent(max.50mA) Highvoltage(max.300V) Telephonyandprofessionalcommunicationequipment.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

BF820

Marking：1V；Package：SOT23；NPN high voltage transistor

1.Generaldescription NPNhigh-voltagetransistorinasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:BF821 2.Featuresandbenefits ?Lowcurrent(max.50mA) ?Highvoltage(max.300V) 3.Applications ?Telephonyandprofessionalcommunicationequipment

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BF820-Q

Marking：1V；Package：SOT23；NPN high voltage transistor

1.Generaldescription NPNhigh-voltagetransistorinasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:BF821-Q 2.Featuresandbenefits ?Lowcurrent(max.50mA) ?Highvoltage(max.300V) ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotive

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BF820W

Marking：1V；Package：SOT323；NPN high-voltage transistor

FEATURES ?Lowcurrent(max.50mA) ?Highvoltage(max.300V). APPLICATIONS ?Telephonyandprofessionalcommunicationequipment. DESCRIPTION NPNhigh-voltagetransistorinaSOT323plasticpackage.

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

MMBT6427

Marking：1V；Package：SOT-23；NPN Darlington Transistor

NPNDarlingtonTransistor Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremely highcurrentgainatcollectorcurrentsto1.0A.Sourcedfrom Process05.SeeMPSA14forcharacteristics.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MMBT6427

Marking：1V；Package：SOT-23；Darlington Transistors

NPNSilicon ?Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements.

FS

First Silicon Co., Ltd

NJU77260F

Marking：1V；Package：SOT-23-5；High-Speed, Rail-to-Rail Input, CMOS Comparator

FEATURES (V+=5V,Typicalvalue,Ta=25°C) ?PropagationDelay(TPLH/TPHL) -NJU7725x42ns/35ns -NJU7726x125ns/32ns ?Rail-to-RailCommon-ModeInputVoltageRange 0.2VbeyondSupplyRails ?DynamicTransientStabilizerTM -Rail-to-RailInputwithlesspropagationdelay fluctuat

NISSHINBONisshinbo Micro Devices Inc.

日清紡微電子?清紡微電?株式會社

PMDPB30XN

Marking：1V；Package：DFN2020-6；20 V, dual N-channel Trench MOSFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMPB27EP

Marking：1V；Package：DFN2020MD-6；30 V, single P-channel Trench MOSFET

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    1V

  • 功能描述：

    CAP SWITCH GREY

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    開關(guān) >> 配件 - 帽蓋

  • 系列：

    Multimec®

  • 標準包裝：

    1

  • 系列：

    AP

  • 開關(guān)類型：

    按鈕

  • 形狀：

    圓形，凸起（圓頂）

  • 顏色：

    紅

  • 發(fā)光：

    發(fā)光開口

  • 適用于相關(guān)產(chǎn)品：

    AP 系列

  • 安裝類型：

    卡入式

  • 尺寸：

    12.35mm 直徑 x 6.25mm H

  • 特點：

    -

  • 配用：

    AP2N006TZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP2N003TZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP2N002TZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP2N006SZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP2N003SZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP2N002SZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP4N007SWBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP2N007TZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP2N007SZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125VAP4N006TZBE-ND - SWITCH PUSH SPST-NO 0.125A 125V更多...

  • 其它名稱：

    *481D03001

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更多1V供應(yīng)商 更新時間2025-6-12 11:03:00

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