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ZXTP2009Z分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

ZXTP2009Z
廠商型號

ZXTP2009Z

參數(shù)屬性

ZXTP2009Z 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 40V 5.5A SOT89-3

功能描述

40V PNP HIGH GAIN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

132.51 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-30 22:30:00

ZXTP2009Z規(guī)格書詳情

Features

? BVCEO > -40V

? IC = -5.5A High Continuous Current

? Low Saturation Voltage VCE(sat) < -30mV @ -100mA

? Rsat = 29m? for a Low Equivalent On-Resistance

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen- and Antimony-Free. “Green” Device (Note 3)

? For automotive applications requiring specific change

control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP

capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities),

please contact us or your local Diodes representative.

https://www.diodes.com/quality/product-definitions/

Application

? DC-DC converters

? MOSFET gate drive

? Charging circuits

? Power switches

? Motor control

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    ZXTP2009ZTA

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    185mV @ 550mA,5.5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    152MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝:

    SOT-89-3

  • 描述:

    TRANS PNP 40V 5.5A SOT89-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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SOT-89
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