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ZXT12N20DXTC中文資料DIODES數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ZXT12N20DXTC
廠商型號(hào)

ZXT12N20DXTC

功能描述

DUAL 20V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

文件大小

270.93 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡(jiǎn)稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-7 22:58:00

ZXT12N20DXTC規(guī)格書詳情

SUMMARY

VCEO=20V; RSAT = 40mΩ; IC= 3.5A

DESCRIPTION

This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications.

FEATURES

? Extremely Low Equivalent On Resistance

? Extremely Low Saturation Voltage

? hFE characterised up to 10A

? IC=3.5A Continuous Collector Current

? MSOP8 package

APPLICATIONS

? DC - DC Converters

? Power Management Functions

? Power switches

? Motor control

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    ZXT12N20DXTC

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT Dual 20V NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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