ZXMN3A06N8TA_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-陣列-PAM

原廠料號：ZXMN3A06N8TA品牌：Diodes Incorporated

資料說明：MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

ZXMN3A06N8TA是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列。制造商PAM/Diodes Incorporated生產(chǎn)封裝8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）的ZXMN3A06N8TA晶體管 - FET，MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管，因為其涉及單載流子類型的操作。也就是說，F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子，而不是同時使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

• 芯片型號：

  zxmn3a06n8ta

• 規(guī)格書：

  下載

• 企業(yè)簡稱：

  PAM詳情

• 廠商全稱：

  Diodes Incorporated

• 資料說明：

  MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC