ZTX751QSTZ_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個-龍鼎威

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原廠料號:ZTX751QSTZ品牌:Diodes Incorporated

資料說明:PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

ZTX751QSTZ是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。制造商PAM/龍鼎威生產(chǎn)封裝E-Line-3,成型引線的ZTX751QSTZ晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術。

  • 芯片型號:

    ztx751qstz

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  • 企業(yè)簡稱:

    PAM【龍鼎威】詳情

  • 廠商全稱:

    Diodes Incorporated

  • 資料說明:

    PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    ZTX751QSTZ

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    140MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    E-Line-3,成型引線

  • 供應商器件封裝:

    E-Line(TO-92 兼容)

  • 描述:

    PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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