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X3C19P1-03S

Airfast RF Power GaN Transistor

1Generaldescription This85WasymmetricalDohertyRFpowerGaNtransistorisdesignedforcellularbasestationapplicationsrequiringverywideinstantaneousbandwidthcapabilitycoveringthefrequencyrangeof1930to1995MHz. Thispartischaracterizedandperformanceisguaranteedforap

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

X3C19P1-03S

Hybrid Coupler 3 dB, 90

ANARENAnaren Microwave

安倫

X3C19P1-03S

RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

X3C19P1-03S

RF Power GaN Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

X3C19P1-03S

Package:2520(6450 公制);包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類(lèi)別:RF/IF,射頻/中頻和 RFID RF 定向耦合器 描述:RF DIR COUPLER 1.4GHZ-2GHZ SMD

TTMTTM Technologies, Inc.

迅達(dá)科技迅達(dá)科技集團(tuán)公司

X3C19P1-03

HybridCoupler

ANARENAnaren Microwave

安倫

X3C19P1-03P

30dBDirectionalCoupler

ANARENAnaren Microwave

安倫

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    X3C19P1-03S

  • 制造商:

    TTM Technologies, Inc.

  • 類(lèi)別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > RF 定向耦合器

  • 系列:

    Xinger III?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 耦合器類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 頻率:

    1.4GHz ~ 2GHz

  • 耦合系數(shù):

    3dB

  • 應(yīng)用:

    DCS,LTE,PCS,WCDMA

  • 插損:

    0.22dB

  • 功率 - 最大值:

    90W

  • 隔離:

    23dB

  • 回波損耗:

    24.9dB

  • 封裝/外殼:

    2520(6450 公制)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SMD

  • 描述:

    RF DIR COUPLER 1.4GHZ-2GHZ SMD

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ANAREN
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一罰十
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原廠正規(guī)渠道保證進(jìn)口原裝正品、假一罰十價(jià)格合理
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更多X3C19P1-03S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-7 14:32:00