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NP28N10SDE

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=52mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NP28N10SDE

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFETS ?175°CJunctionTemperature ?LowThermalResistancePackage

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

NP28N10SDE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP28N10SDEisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=52mΩMAX.(VGS=10V,ID=14A) RDS(on)2=59mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=14A) ?LowCiss:Ciss=2200pFTYP.(VDS=2

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP28N10SDE

ProductScoutAutomotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

SSFP28N10

StarMOSTPowerMOSFET

Good-Ark

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更多WSD28N10DN供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 10:34:00

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