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WFW13N50中文資料穩(wěn)先微電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

WFW13N50
廠商型號

WFW13N50

功能描述

Silicon N-Channel MOSFET

文件大小

567.76 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Shenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd
企業(yè)簡稱

Winsemi穩(wěn)先微電子

中文名稱

深圳市穩(wěn)先微電子有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-16 18:32:00

WFW13N50規(guī)格書詳情

General Description

This Power MOSFET is produced using Winsemis advancedplanar stripe,DMOS technology.This latest technology has beenespecially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics .This devices is specially wellsuited for high efficiencyswitch model power supplies, power factor correction and half bridge and full bridge resonant topology line a electronic lamp ballast.

Features

■ 13A,500V, RDS(on)(Max0.46?)@VGS=10V

■ Ultra-low Gate charge(Typical 43nC)

■ Fast Switching Capability

■ 100Avalanche Tested

■ Maximum Junction Temperature Range(150℃ )

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