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VT6Z1T2R_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管（BJT）-陣列-Rohm Semiconductor

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原廠料號(hào)：VT6Z1T2R品牌：Rohm Semiconductor

資料說明：TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT

VT6Z1T2R是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列。制造商Rohm Semiconductor生產(chǎn)封裝6-SMD的VT6Z1T2R晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列雙極晶體管陣列在同一封裝中包含兩個(gè)或更多的分立晶體管，這些晶體管可在電氣上完全隔離，也可在器件封裝內(nèi)部以某種形式互連。陣列中包含的器件具有相近或互補(bǔ)的特性，采用共同封裝可最大程度減小器件在工作過程中的溫差。

  • 芯片型號(hào)：

    vt6z1t2r

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VT6Z1T2R

  • 制造商：

    Rohm Semiconductor

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN，PNP

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    200mA

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    20V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 10mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 1mA，2V

  • 功率 - 最大值：

    150mW

  • 頻率 - 躍遷：

    400MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-SMD

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    VMT6

  • 描述：

    TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ROHM/羅姆
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