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VT2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝類別：傳感器，變送器浮子，液位傳感器描述：LVL SEN COND 2 PROBE PTFE	Carlo Gavazzi Inc. Carlo Gavazzi Inc.	Carlo Gavazzi Inc.
VT200	文件：1.24081 Mbytes Page：76 Pages	Photoconductive Cells and Analog Optoisolators (Vactrols) CustomandSemi-CustomDevices Uponrequest,andwheresufficientquantitiesareinvolved,PerkinElmerOptoelectronicswillteststandardpartstoyouruniquesetofspecifications.Theadvantageoftestingpartsunderactualoperatingconditionsispredictableperformanceintheapplication. Pe	PerkinElmer PerkinElmer Optoelectronics	PerkinElmer
VT2045BP	文件：114.62 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS ??Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VT2045BP	文件：109.22 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VT2045BP_V01	文件：109.22 Kbytes Page：4 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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VT2045C	文件：124.86 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC ?Halogen-freeaccordingtoI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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VT2045CBP_V01	文件：136.68 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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VT2045CHM3	文件：131.46 Kbytes Page：6 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLIC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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VT2060C	文件：130.639 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC ?Halogen-freea	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VT2060C-E3	文件：158.22 Kbytes Page：6 Pages	Low forward voltage drop, low power losses FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VT2060C-E3	文件：203.52 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VT2060C-E3_V01	文件：203.52 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VT2060CHM3-4W	文件：130.639 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC ?Halogen-freea	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
VT2
制造商：
Carlo Gavazzi Inc.
類別：
傳感器，變送器 > 浮子，液位傳感器
系列：
VT
包裝：
散裝
類型：
液體
輸出類型：
繼電器
安裝類型：
有螺紋
材料 - 殼體和棱柱：
聚四氟乙烯（PTFE）
工作溫度：
0°C ~ 145°C
描述：
LVL SEN COND 2 PROBE PTFE

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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