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VT10200C

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10200C-E3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10200C-E3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 (forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApacka

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10200C-E3_V01

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 (forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApacka

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10200C-E3-4W

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10200C-M3

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10200C-M3_V01

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10202C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-2

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10202C_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-2

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10200C-E3_15

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10200C-M3

Low forward voltage drop, low power losses

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10200C-M3_15

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10202C

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10202C-M3

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10202C-M3/4W

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10202C-M3_15

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VT10200C-M3/4W

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOT 200V TO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VT10202C-M3/4W

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE SCHOTTKY 200V 5A TO220AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VT1021800000G

包裝：散裝 類別：連接器，互連器件 線對板 描述：TERM BLK 10P SIDE ENT 5.08MM PCB

Amphenol Anytek

Amphenol Anytek

Amphenol Anytek

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    VT102

  • 功能描述：

    DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列

  • 系列：

    TMBS®

  • 其它有關(guān)文件：

    STTH10LCD06C View All Specifications

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    - 電壓 - 在 If

  • 時(shí)為正向(Vf)（最大）：

    2V @ 5A 電流 - 在 Vr

  • 時(shí)反向漏電：

    1µA @ 600V 電流 -

  • 平均整流(Io)（每個(gè)二極管）：

    5A 電壓

  • -(Vr)（最大）：

    600V

  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：

    50ns

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 速度：

    快速恢復(fù) = 200mA（Io）

  • 二極管配置：

    1 對共陰極

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    D2PAK

  • 包裝：

    帶卷(TR)

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1553(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    497-10107-2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
VIS
23+
TO-220AB
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
VIS
22+
TO-220AB
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
VIS
23+
TO-220AB
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
TO220
90000
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價(jià)
VIS
22+
TO-220AB
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
VIS
24+
TO-TO-220AB
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
N/A
500
詢價(jià)
VISHAY
17+
TO220-3
6200
詢價(jià)
VISHAY
23+
TO-220
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!
 詢價(jià)
VISHAY原裝
22+23+
TO-220
22831
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
更多VT102供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-28 14:30:00

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