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VS-3C06ET07T-M3

650 V Power SiC Gen 3 Merged PIN Schottky Diode, 6 A

FEATURES ?MajoritycarrierdiodeusingSchottkytechnology onSiCwidebandgapmaterial ?ImprovedVFandefficiencybythinwafer technology ?PositiveVFtemperaturecoefficientforeasy paralleling ?Virtuallynorecoverytailandnoswitchinglosses ?Temperatureinvariantswitching

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多VS-3C06ET07T-M3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-17 14:08:00

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