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VS-1N3212

Silicon Rectifier Diodes, (Stud Version) 15 A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VS-1N3212

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：DO-203AB，DO-5，接線柱 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-1N3212R

包裝：散裝 封裝/外殼：DO-203AB，DO-5，接線柱 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

1N3212

STANDARDRECOVERYRECTIFIERS

STANDARDRECOVERYRECTIFIERS AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.

DIGITRON

Digitron Semiconductors

1N3212

SiliconPowerRectifiers

SiliconPowerRectifiers 18AMP-DO5

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

1N3212

Stud-MountedSiliconRectifierDiodes,15A

DESCRIPTION/FEATURES ?Lowthermalimpedance ?Highcasetemperature ?Excellentreliability ?Maximumdesignflexibility ?Canbemadetomeetstringentmilitary,aerospaceandotherhighreliabilityrequirements ?RoHScompliant

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

1N3212

SILICONPOWERRECTIFIER

SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●800Asurgerating ●Glasstometalsealconstruction ●VRRMto1200V

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

1N3212

15AmpStud-mountedSiliconRectifierDiodes

15AmpStud-mountedSiliconRectifierDiodes

IRF

International Rectifier

1N3212

SiliconStandardRecoveryDiode

Features ?HighSurgeCapability ?Typesfrom400Vto600VVRRM ?NotESDSensitive

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N3212

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N3212

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N3212

DEVICEHIGHPOWERSTANDARD

Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto600VVRRM

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

1N3212R

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N3212R

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

1N3212R

DEVICEHIGHPOWERSTANDARD

Features ?HighSurgeCapability ?Typesupto600VVRRM

AMERICASEMI

America Semiconductor, LLC

1N3212R

15AmpStud-mountedSiliconRectifierDiodes

15AmpStud-mountedSiliconRectifierDiodes

IRF

International Rectifier

1N3212R

Stud-MountedSiliconRectifierDiodes,15A

DESCRIPTION/FEATURES ?Lowthermalimpedance ?Highcasetemperature ?Excellentreliability ?Maximumdesignflexibility ?Canbemadetomeetstringentmilitary,aerospaceandotherhighreliabilityrequirements ?RoHScompliant

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VS-1N3212

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    15A

  • 速度：

    標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

  • 安裝類型：

    底座，接線柱安裝

  • 封裝/外殼：

    DO-203AB，DO-5，接線柱

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DO-203AB（DO-5）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -65°C ~ 175°C

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AB

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY
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DO-203
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全新原裝 貨期兩周
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全新原裝 貨期兩周
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更多VS-1N3212供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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