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VQ1000P中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

VQ1000P
廠商型號(hào)

VQ1000P

功能描述

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件大小

64.519 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-31 23:00:00

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VQ1000P規(guī)格書詳情

FEATURES

● Low On-Resistance: 2.5 Ω

● Low Threshold: 2.1 V

● Low Input Capacitance: 22 pF

● Fast Switching Speed: 7 ns

● Low Input and Output Leakage

BENEFITS

● Low Offset Voltage

● Low-Voltage Operation

● Easily Driven Without Buffer

● High-Speed Circuits

● Low Error Voltage

APPLICATIONS

● Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS

● Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,

?? Displays, Memories, Transistors, etc.

● Battery Operated Systems

● Solid-State Relays

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    VQ1000P

  • 功能描述:

    MOSFET QD 60V 0.225A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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