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VNN1NV04TR-E_集成電路（IC） 配電開(kāi)關(guān)負(fù)載驅(qū)動(dòng)器-意法半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：VNN1NV04TR-E品牌：STMicroelectronics

資料說(shuō)明：IC PWR MOSFET N-CHAN 1:1 SOT223

  • 芯片型號(hào)：

    vnn1nv04tr-e

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說(shuō)明：

    IC PWR MOSFET N-CHAN 1:1 SOT223

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    VNN1NV04TR-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 配電開(kāi)關(guān)，負(fù)載驅(qū)動(dòng)器

  • 系列：

    OMNIFET II?, VIPower?

  • 包裝：

    管件

  • 開(kāi)關(guān)類型：

    通用

  • 輸出數(shù)：

    1

  • 比率 - 輸入：

    1：1

  • 輸出配置：

    低端

  • 輸出類型：

    N 通道

  • 接口：

    開(kāi)/關(guān)

  • 電壓 - 負(fù)載：

    36V（最大）

  • 電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：

    不需要

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    1.7A

  • 導(dǎo)通電阻（典型值）：

    250 毫歐（最大）

  • 輸入類型：

    非反相

  • 故障保護(hù)：

    限流（固定），超溫，過(guò)壓

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-223

  • 封裝/外殼：

    TO-261-4，TO-261AA

  • 描述：

    IC PWR MOSFET N-CHAN 1

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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