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VMMK-1218-TR1G_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-Broadcom Limited

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原廠料號：VMMK-1218-TR1G品牌：Broadcom Limited

資料說明：FET RF 5V 10GHZ 0402

VMMK-1218-TR1G是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商Broadcom Limited生產(chǎn)封裝0402（1005 公制）的VMMK-1218-TR1G晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號：

    vmmk-1218-tr1g

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說明：

    FET RF 5V 10GHZ 0402

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    VMMK-1218-TR1G

  • 制造商：

    Broadcom Limited

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    E-pHEMT

  • 頻率：

    10GHz

  • 增益：

    9dB

  • 額定電流（安培）：

    100mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.81dB

  • 功率 - 輸出：

    12dBm

  • 封裝/外殼：

    0402（1005 公制）

  • 供應商器件封裝：

    0402

  • 描述：

    FET RF 5V 10GHZ 0402

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