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VI20120S-E3SLASH4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per ??JESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin ??accordancetoWEEE2002/96/EC ?Haloge

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High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per ??JESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin ??accordancetoWEEE2002/96/EC ?Haloge

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per ??JESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin ??accordancetoWEEE2002/96/EC ?Haloge

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High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s,per ??JESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandin ??accordancetoWEEE2002/96/EC ?Haloge

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更多VI20120S-E3SLASH4W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-26 16:04:00

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