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VI20120C-E3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
VI20120C-E3SLASH4W |
功能描述 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
文件大小 |
163.15 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡稱 |
VISHAY【威世科技】 |
中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-6-24 22:59:00 |
人工找貨 | VI20120C-E3SLASH4W價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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Vishay/GeneralSemiconduc |
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VISHAY |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
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TO262AA |
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