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VI20120C-E3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
VI20120C-E3SLASH4W |
| 功能描述 | Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| 文件大小 |
163.15 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡稱 |
VISHAY【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-24 23:00:00 |
| 人工找貨 | VI20120C-E3SLASH4W價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
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NA/ |
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VISHAY原裝 |
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VISHAY |
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5000 |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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Vishay/GeneralSemiconduc |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
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VISHAY原裝 |
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