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VI20120C-E3SLASH4W中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

VI20120C-E3SLASH4W
廠商型號

VI20120C-E3SLASH4W

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

163.15 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

VISHAY威世科技

中文名稱

威世科技半導體官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-6-23 22:59:00

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