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VI20100S	文件：143.58 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICAL	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI20100S	文件：168.62 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI20100S	文件：145.19 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI20100S	文件：152.41 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI20100S-E3	文件：157.77 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJES	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI20100S-E3	文件：215.28 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI20100S-E3/4W	文件：168.62 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI20100SG	文件：160.62 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemp	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI20100SG	文件：216.53 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI20100S-E3/4W	文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI20100SG	文件：159.2 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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VI20100SG-E3/4W	文件：159.2 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI20100SG-E3-4W	文件：149.77 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI20100S-M3/4W	文件：200.88 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VI20100SG-E3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：帶盒（TB）封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO262AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
VI20100SGHM3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品二極管 - 整流器 - 單描述：DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-262AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
VI20100S
制造商：
VISHAY
制造商全稱：
Vishay Siliconix
功能描述：
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市博浩通科技有限公司	VI20100S	VISHAY	23+	TO-262	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	VI20100S	VISHAY	1735+	TO220	6528	科恒偉業(yè)!只做原裝正品!假一賠十!	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	VI20100S	VISHAY	2020+	TO220	8000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	VI20100S	VISHAY	21+	TO220	40	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	VI20100S	VISHAY	23+	TO220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	VI20100S	VISHAY	0605+	TO220	40	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	VI20100S	VISHAY		TO220	396379	集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)	詢價(jià)
深圳市科翼源電子有限公司	VI20100S	VISHAY	23+	TO220	2540	原廠原裝正品	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	VI20100S	VISHAY	23+	TO220	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣!	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	VI20100SG-E3/4W	Vishay/GeneralSemiconduc	24+	TO-262AA	1846		詢價(jià)

更多VI20100S供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 17:02:00

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