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VF20120SG_V01

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V20120SG_V01

High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION

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供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay/GeneralSemiconduc
24+
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VISHAY/威世
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VISHAY/威世
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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VISHAY/威世
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Vishay General Semiconductor -
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23+
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10000
原裝正品現(xiàn)貨
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更多VF20120SG_V01供應(yīng)商 更新時間2025-3-27 10:20:00

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