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VBT3045BP-M3 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C ?TJ200°Cmax.insolarbypassapplication ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleasesee | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | |
VBT3045BP-M3 | Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | |
Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C ?TJ200°Cmax.insolarbypassapplication ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleasesee | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO-263AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | ||
Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:管件 類別:分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO-263AB | Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
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