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VBT10200C-E3-4W

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABandTO-262AApackage

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VFT10200C-E3-4W

TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    VBT10200C-E3-4W

  • 制造商：

    VISHAY

  • 制造商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更多VBT10200C-E3-4W供應(yīng)商 更新時間2024-10-25 15:00:00

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