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VBMB16R02S中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
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廠商型號(hào) |
VBMB16R02S |
功能描述 | N-Channel 600V(D-S) Super Junction Power MOSFET |
文件大小 |
1.1204 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | VBsemi Electronics Co.,Ltd |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】 |
中文名稱(chēng) | 微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-28 16:37:00 |
人工找貨 | VBMB16R02S價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
VBMB16R02S規(guī)格書(shū)詳情
FEATURES
? Isolated Package
? High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;
f = 60 Hz)
? Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm
? Dynamic dV/dt Rating
? Low Thermal Resistance
? Lead (Pb)-free Available
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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17+ |
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