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VBM16R04

Power MOSFET

FEATURES ?UltraLowGateCharge ?ReducedGateDriveRequirement ?Enhanced30V,VGSRating ?ReducedCiss,Coss,Crss ?ExtremelyHighFrequencyOperation ?RepetitiveAvalancheRated ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

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N-Channel 600V (D-S)Power MOSFET

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微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

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無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

VBE16R04

N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET

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微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

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