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VBL19R09S中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

VBL19R09S
廠商型號(hào)

VBL19R09S

功能描述

N-Channel 900V (D-S) Super Junction Power MOSFET

文件大小

918.57 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-10-28 10:20:00

VBL19R09S規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

? Low input capacitance (Ciss)

? Reduced switching and conduction losses

? Ultra low gate charge (Qg)

? Avalanche energy rated (UIS)

APPLICATIONS

? Server and telecom power supplies

? Switch mode power supplies (SMPS)

? Power factor correction power supplies (PFC)

? Lighting

- High-intensity discharge (HID)

- Fluorescent ballast lighting

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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