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VB60170G-E3_V01

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES TrenchMOSSchottkytechnology Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses Highefficiencyoperation MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245C ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多VB60170G-E3_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-10 14:50:00

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