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VB30100C-E3/8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.455VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Lowthermalresistance ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB30100C-E3/8W

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB30100C-E3/8W

Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    VB30100C-E3/8W

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 系列:

    TMBS?

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 二極管配置:

    1 對共陰極

  • 二極管類型:

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):

    15A

  • 速度:

    快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-263AB(D2PAK)

  • 描述:

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay General Semiconductor -
24+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
30000
二極管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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VISHAY/威世
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VISHAY/威世
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TO263
22150
原裝正品現(xiàn)貨
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更多VB30100C-E3/8W供應(yīng)商 更新時間2025-2-27 17:28:00