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VB20120SG-E3

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

UltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20120SG-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20120SG-E3/8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

UltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20120SG-E3/4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VB20120SG-E3/8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VB20120SG-E3-4W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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VB20120SG-E3-8W

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

VB20120SG-E3/4W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：帶盒（TB） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VB20120SG-E3/8W

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VF20120SG-E3

HighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

UltraLowVF=0.54VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B

VishayVishay Siliconix

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    VB20120SG-E3

  • 功能描述：

    肖特基二極管與整流器 20 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 產(chǎn)品：

    Schottky Diodes

  • 峰值反向電壓：

    2 V

  • 正向連續(xù)電流：

    50 mA

  • 配置：

    Crossover Quad

  • 正向電壓下降：

    370 mV

  • 最大功率耗散：

    75 mW

  • 工作溫度范圍：

    - 65 C to + 150 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    SOT-143

  • 封裝：

    Reel

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
22+
TO-263
20000
保證原裝正品,假一陪十
 詢價
VIS
23+
TO-263AB
10000
公司只做原裝正品
 詢價
VIS
22+
TO-263AB
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
VIS
23+
TO-263AB
6000
原裝正品，支持實單
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VISHAY/威世
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價
VIS
22+
TO-263AB
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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12300
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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更多VB20120SG-E3供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 14:51:00

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