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65R380D	文件：706.23 Kbytes Page：11 Pages	650VSuper-junctionPowerMOSFET Description 650VSuper-junctionPowerMOSFET Super-junctionpowerMOSFETisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs，designedaccordingtotheSJprinciple.ThedeeptrenchSJMOSFETprovideanextremelylowswitching,communicationandconductionlossesdevicewithhighestrobustness	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光國(guó)微紫光國(guó)芯微電子股份有限公司	WUMC
BRF65R380C	文件：1.77421 Mbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL650VSuper-JunctionPowerMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
HCD65R380T	文件：295.33 Kbytes Page：8 Pages	Extremelylowswitchingloss	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCS65R380T	文件：206.44 Kbytes Page：7 Pages	Extremelylowswitchingloss	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HCU65R380T	文件：295.33 Kbytes Page：8 Pages	Extremelylowswitchingloss	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
MMD65R380QRH	文件：353.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.38Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MMD65R380QRH	文件：2.85431 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF65R380Q	文件：1.26024 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF65R380QTH	文件：1.26024 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMP65R380Q	文件：1.30099 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMP65R380QTH	文件：1.30099 Mbytes Page：10 Pages	650V0.38ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
SLF65R380SS	文件：986.2 Kbytes Page：6 Pages	650VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司	MAPLESMI
TPA65R380C	文件：1.09553 Mbytes Page：12 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光國(guó)微紫光國(guó)芯微電子股份有限公司	WUMC
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TPA65R380D	文件：710.35 Kbytes Page：11 Pages	650VSuper-junctionPowerMOSFET Description 650VSuper-junctionPowerMOSFET Super-junctionpowerMOSFETisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs，designedaccordingtotheSJprinciple.ThedeeptrenchSJMOSFETprovideanextremelylowswitching,communicationandconductionlossesdevicewithhighestrobustness	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光國(guó)微紫光國(guó)芯微電子股份有限公司	WUMC
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TPA65R380D	文件：706.23 Kbytes Page：11 Pages	650VSuper-junctionPowerMOSFET Description 650VSuper-junctionPowerMOSFET Super-junctionpowerMOSFETisarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs，designedaccordingtotheSJprinciple.ThedeeptrenchSJMOSFETprovideanextremelylowswitching,communicationandconductionlossesdevicewithhighestrobustness	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光國(guó)微紫光國(guó)芯微電子股份有限公司	WUMC
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TPC65R380C	文件：1.09553 Mbytes Page：12 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光國(guó)微紫光國(guó)芯微電子股份有限公司	WUMC

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