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VB1210	文件：768.9 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?GenIIIPowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VBA1210	文件：625.13 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VBA1210	文件：609.4 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
VDA1210CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導(dǎo)體安納森半導(dǎo)體香港有限公司	ANASEM
VDA1210NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,?1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安納森半導(dǎo)體安納森半導(dǎo)體香港有限公司	ANASEM
VJ1210	文件：89.72 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforTCCCriticalApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
VJ1210	文件：78.63 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforCommercialApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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VJ1210	文件：117.43 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsProhibitSurfaceArc-overinHighVoltageApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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VN1210	文件：70.06 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs? AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
VN1210B	文件：70.06 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs? AdvancedDMOSTechnology Theseenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinputimpedan	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
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VN1210ND	文件：140.31 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs??? ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX

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