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V8PM6HM3SLASHH

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 4 A

?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/NHM3

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V8PM6HM3/H

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

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V8PM6HM3/I

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V8PM6HM3SLASHI

HighCurrentDensitySurface-MountTMBS?(TrenchMOSBarrierSchottky)RectifierUltraLowVF=0.39VatIF=4A

?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode;baseP/NHM3

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

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更多V8PM6HM3SLASHH供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-28 14:33:00

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