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V6PW10HM3SLASHI中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

V6PW10HM3SLASHI
廠商型號(hào)

V6PW10HM3SLASHI

功能描述

High Current Density Surface-Mount TMBS? (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.47 V at IF = 3 A

文件大小

140.43 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-27 22:58:00

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V6PW10HM3SLASHI規(guī)格書詳情

? Very low profile - typical height of 1.3 mm

? Trench MOS Schottky technology

? Ideal for automated placement

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

? AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code: base P/NHM3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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