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V12WM100C-M3_V01中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

V12WM100C-M3_V01
廠商型號(hào)

V12WM100C-M3_V01

功能描述

Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

文件大小

89.82 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-2 23:00:00

V12WM100C-M3_V01規(guī)格書詳情

FEATURES

? Trench MOS Schottky technology

? Ideal for automated placement

? Low forward voltage drop, low power losses

? High efficiency operation

? Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 260 °C

? Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching

power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and

reverse battery protection.

MECHANICAL DATA

Case: TO-252 (D-PAK)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, and

commercial grade

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

Polarity: As marked

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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