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V12P12_V01

High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES ?Verylowprofile-typicalheightof1.1mm ?Idealforautomatedplacement ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?AEC-Q101qualifiedavailable -A

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更多V12P12_V01供應(yīng)商 更新時間2025-1-17 14:08:00

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