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V10PM12HM3_A/I

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10PM12HM3_A/I

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:TO-277,3-PowerDFN 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V10PM12HM3

TrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

V10PM12HM3_A/H

HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    V10PM12HM3_A/I

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, eSMP?, TMBS?

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 二極管類型:

    肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    3.9A

  • 速度:

    快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-277,3-PowerDFN

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-277A(SMPC)

  • 工作溫度 - 結(jié):

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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