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UPG2012TK-E2

NECs ? W SINGLE CONTROL L, S-BAND SPDT SWITCH

DESCRIPTION TheμPG2012TKisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishous

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPG2012TK-E2

Marking：G3H；GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ?Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) ?Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=?0.2to+0.2V(0VTYP.) ?Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPG2012TK-E2

L-BAND SPDT SWITCH

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

UPG2012TK-E2-A

W SINGLE CONTROL L, S-BAND SPDT SWITCH

CEL

California Eastern Labs

UPG2012TK-E2-A

Package：6-SMD，扁平引線；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻開關(guān) 描述：IC RF SWITCH SPDT 2.5GHZ 6MINIM

CEL

California Eastern Labs

詳細參數(shù)

  • 型號：

    UPG2012TK-E2

  • 功能描述：

    RF 開關(guān) IC SPDT Single Switch

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    M/A-COM Technology Solutions

  • 開關(guān)數(shù)量：

    Single

  • 開關(guān)配置：

    SPDT

  • 介入損耗：

    0.6 dB

  • 截止隔離（典型值）：

    43 dB

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PQFN-16

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多UPG2012TK-E2供應商 更新時間2025-2-2 16:00:00

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