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UPD44324185BF5-E33Y-FQ1-A

36M-BIT DDR II SRAM SEPARATE I/O 2-WORD BURST OPERATION

Features ?1.8±0.1Vpowersupply ?165-pinPLASTICBGA(15x17) ?HSTLinterface ?PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling ?Separateindependentreadandwritedataports ?DDRreadorwriteoperationinitiatedeachcycle ?Pipelineddoubledatarat

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD44324185BF5-E33Y-FQ1

36M-BITDDRIISRAMSEPARATEI/O2-WORDBURSTOPERATION

Features ?1.8±0.1Vpowersupply ?165-pinPLASTICBGA(15x17) ?HSTLinterface ?PLLcircuitryforwideoutputdatavalidwindowandfuturefrequencyscaling ?Separateindependentreadandwritedataports ?DDRreadorwriteoperationinitiatedeachcycle ?Pipelineddoubledatarat

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPD44324185BF5-E33Y-FQ1-A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-3 15:03:00

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