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UPD431000AGW-B12

MOSINTEGRATEDCIRCUIT

Features ?131,072wordsby8bitsorganization ?Fastaccesstime:70,85,100,120,150ns(MAX.) ?Lowvoltageoperation(Aversion:VCC=3.0to5.5V,Bversion:VCC=2.7to5.5V) ?Operatingambienttemperature:TA=0to70°C ?LowVCCdataretention:2.0V(MIN.) ?OutputEnablei

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPD431000AGW-B12

1M-BITCMOSSTATICRAM128K-WORDBY8-BIT

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    UPD431000AGW-B12(A)

  • 制造商：

    Renesas Electronics Corporation

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多UPD431000AGW-B12(A)供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 16:00:00

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