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UPA862TD-T3中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

UPA862TD-T3
廠商型號

UPA862TD-T3

功能描述

NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

文件大小

135.07 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-15 14:04:00

UPA862TD-T3規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NECs UPA862TD contains one NE851 and one NE685 NPN high frequency silicon bipolar chip. The NE851 is an excellent oscillator chip, featuring low 1/f noise and high immunity to pushing effects. The NE685 is an excellent buffer transistor, featuring low noise and high gain. NECs new ultra small TD package is ideal for all portable wireless applications where reducing board space is a prime consideration. Each transistor chip is independently mounted and easily configured for oscillator/buffer amplifier and other applications.

FEATURES

? LOW VOLTAGE, LOW CURRENT OPERATION

? SMALL PACKAGE OUTLINE:

1.2 mm x 0.8 mm

? LOW HEIGHT PROFILE:

Just 0.50 mm high

? TWO DIFFERENT DIE TYPES:

Q1 - Ideal buffer amplifier transistor

Q2 - Ideal oscillator transistor

? IDEAL FOR 1-2 GHz OSCILLATORS

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    UPA862TD-T3

  • 功能描述:

    射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Twin

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶體管極性:

    NPN

  • 最大工作頻率:

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 封裝/箱體:

    SOT-223

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
23+
SOT56PB
10800
只做原裝 歡迎咨詢
詢價
NEC
23+
SOT56PB
8890
價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢
詢價
NEC
23+
SOT563
8650
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
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NEC
21+
SOT563
24391
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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NEC
24+
SOT-563
106200
新進庫存/原裝
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NEC
2023+
SOT563
8800
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。
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NEC
QPN
22+
6000
十年配單,只做原裝
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NEC
589220
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量
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NEC
SOT563
94393
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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23+
原廠原包
19960
只做進口原裝 終端工廠免費送樣
詢價