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UPA806T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA806T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

CEL

California Eastern Labs

UPA806T-T1-A

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT) 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 描述:RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363

CEL

California Eastern Labs

UPA806T-T1

MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR

FEATURES ?LowNoise,HighGain ?OperableatLowVoltage ?SmallFeed-backCapacitanceCre=0.4pFTYP. ?Built-in2Transistors(2×2SC4959)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA806T-T1

MICROWAVELOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2ELEMENTSMINIMOLD

FEATURES ?LowNoise,HighGain ?OperableatLowVoltage ?SmallFeed-backCapacitanceCre=0.4pFTYP. ?Built-in2Transistors(2×2SC4959)

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    UPA806T-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    2 NPN(雙)

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    6V

  • 頻率 - 躍遷:

    12GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    8.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 10mA,3V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-363

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多UPA806T-T1-A供應(yīng)商 更新時間2025-1-16 13:02:00