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UPA2763T1A-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description TheμPA2763isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconverterandpowermanagementapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)1=23.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=21A) ?RDS(on)2=28.0mΩMAX.(VGS=8V,ID=21A) ?LowCiss2100pFTYP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多UPA2763T1A-E2-AY供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-9 14:00:00

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